مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	-	1750 مگابایت برثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	In-House Controller
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	-	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت