مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	256 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	7100MB/s
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	-	450 مگابایت بر ثانیه	6350MB/s
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	High-end Controller
پشتیبانی از RAID				-
پشتیبانی از TRIM				-
قابلیت پشتیبانی از NCQ				-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت