سازنده | سامسونگ | لکسار | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | لکسار | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | لکسار | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | لکسار | کِلِو | ام اس آی |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.8 × 100 میلی متر | 2.25 × 22 × 80 میلی متر | 2.5 × 22 × 80 میلی متر | 2.15 × 22 × 80 میلی متر |
وزن | 45 گرم | 9 گرم | 7 گرم | - |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen3x4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 2 ترابایت | 256 گیگابایت | 512 گیگابایت | 1 ترابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه | 3200 مگابایت بر ثانیه | 2350 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 530 مگابایت بر ثانیه | - | 2000 مگابایت بر ثانیه | 1700 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر لرزش | مقاوم در برابر ضربهمقاوم در برابر لرزش | - | - |
کنترل کننده | Samsung MKX | - | - | - |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی ثانیه | پشتیبانی از NVMe 1.4حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیهمجهز به حافظه فلش 3 بعدی NANDمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msمقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G | 3D NANDافزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLCدارای تکنولوژی S.M.A.R.Tدارای فناوری SLC Caching | IDLE POWER PS3 : 30 MWLOW POWER L1.2 : 5 MWترابایت نوشته شده : 240 TBWحداکثر توان عملیاتی : 3.2 واتدارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)دارای فناوری SMARTسازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1نوع فلش : 3D NAND |
