مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	500 گیگابایت	256 گیگابایت	250 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	-	530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	Samsung MKX
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	-	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت