مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5150 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-	4000 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-
کنترل کننده	Samsung MKX	In-House Controller	-	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	-

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت