مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت برثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه	-	480 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	RTS5766DL	-	-
پشتیبانی از RAID		-		-
پشتیبانی از TRIM		-		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-		-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	TBW : 520TB مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت