مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	512 گیگابایت	256 گیگابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت برثانیه	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	RTS5766DL	-	-
پشتیبانی از RAID		-	-
پشتیبانی از TRIM		-	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-	-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	TBW : 520TB مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت