مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	5400 مگابایت برثانیه	-	1750 مگابایت برثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID		-
پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	-

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت