مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	Samsung in-house Controller	-
پشتیبانی از RAID		-
پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت