مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	1 ترابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	-	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت