
سازنده | سامسونگ | هایکسمی | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | هایکسمی | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | هایکسمی | کِلِو | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | هایکسمی | کِلِو | ام اس آی |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.8 × 100 میلی متر | 6.8 × 69.8 × 100 میلی متر | 2.5 × 22 × 80 میلی متر | 7 × 69.85 × 100.20 میلی متر |
وزن | 45 گرم | 34.4 گرم | 7 گرم | - |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | 2.5 اینچ | M.2 | 2.5 اینچ |
نوع رابط | SATA 3.0 | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 | SATA 3.0 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 2 ترابایت | 256 گیگابایت | 1 ترابایت | 240 گيگابايت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 460 ~ 510 مگابایت بر ثانیه | 3200 مگابایت بر ثانیه | 500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 460 ~ 360 مگابایت بر ثانیه | 2000 مگابایت بر ثانیه | - |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر لرزش | مقاوم در برابر شوک و ضربه | - | - |
کنترل کننده | Samsung MKX | - | - | PHISON S11 |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی ثانیه | پشتیبانی از 3D NANDمیانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت | 3D NANDافزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLCدارای تکنولوژی S.M.A.R.Tدارای فناوری SLC Caching | IDLE POWER PS3 : 325 MWLOW POWER L1.2: 4.9 MWترابایت نوشته شده : 110TBWحداکثر توان عملیاتی : 1.7 واتدارای فناوری SMARTنوع فلش : 3D NAND |




