سازنده

لکسار
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

لکسار
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

لکسار
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

لکسار
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

مشخصات کلی

ابعاد

2.25 × 22 × 80 میلی‌ متر
---

وزن

9 گرم
---

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen3x4
PCIe Gen3x4
PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0

مشخصات فنی

ظرفیت

256 گیگابایت
500 گیگابایت
1 ترابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

3500 مگابایت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه

مقاومت ساختار بدنه

مقاوم در برابر ضربه
مقاوم در برابر لرزش
---

پشتیبانی از RAID

-

پشتیبانی از TRIM

-

قابلیت پشتیبانی از NCQ

-

سایر مشخصات

پشتیبانی از NVMe 1.4
حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه
مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND
مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms
مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G
-پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه