مقایسه کالاها

ظرفیت	256 گیگابایت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی لکسار مدل NM620 با ظرفیت 256 گیگابایت