مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	512 گیگابایت	2 ترابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت برثانیه	7200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	-	6900 مگابایت بر ثانیه	6200 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID				-
پشتیبانی از TRIM				-
قابلیت پشتیبانی از NCQ				-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	-	ترابایت نوشته شده : 700TBW خواندن تصادفی : 650K(IOPS) سازگار با سیستم عامل : Windows ، Linux شوک : 1,500G/0.5ms لرزش : 80Hz~2,000Hz/20G نوشتن تصادفی : 650K (IOPS)

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت