مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	500 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	-	1700 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	-	پشتیبانی از ذخیره سازی عکس و فیلم با کیفیت 4K مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت