مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	240 گيگابايت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	-	مقاوم در برابر لرزش و ضربه
کنترل کننده	Samsung MKX	-	In-House Controller	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	-	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLC حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (800TB : (TBW مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت