مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	240 گيگابايت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	-	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	PHISON S11
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW ترابایت نوشته شده : 110TBW حداکثر توان عملیاتی : 1.7 وات دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت