مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	480 گيگابايت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	510 مگابیت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	-	پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLC حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (800TB : (TBW دارای تکنولوژی S.M.A.R.T مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت