سازنده | سامسونگ | پی ان وای | هایکسمی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | هایکسمی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | هایکسمی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | هایکسمی | ام اس آی |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر | - | - | 2.15 × 22 × 80 میلی متر |
وزن | 45 گرم | - | - | - |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen 4 x 4 | PCIe Gen3x4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 250 گیگابایت | 500 گیگابایت | 1 ترابایت | 500 گیگابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه | 7100MB/s | 2200 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 1750 مگابایت برثانیه | 6350MB/s | 1150 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر ضربه | - | - | - |
کنترل کننده | Samsung MKX | - | High-end Controller | PHISON E13T |
پشتیبانی از RAID | - | |||
پشتیبانی از TRIM | - | |||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | - | |||
سایر مشخصات | با قابلیت الگوریتم GCپشتیبانی WWNپشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتیحافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAMدارای فناوری SMARTمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms | - | پشتیبانی از 3D NANDمیانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت | دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)دارای فناوری SMARTسازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1نوع فلش : 3D NAND |
