مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	128 گیگابایت	2 ترابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	350 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	PHISON E19T	-
پشتیبانی از RAID		-
پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	TBW : 1200 پشتیبانی از 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت