مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	256 گیگابایت	512 گیگابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	5400 مگابایت برثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	SMI SM2269XT
پشتیبانی از RAID		-	-
پشتیبانی از TRIM		-	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-	-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت