مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	256 گیگابایت	128 گیگابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	350 مگابایت بر ثانیه	1150 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر لرزش	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	PHISON E13T
پشتیبانی از RAID		-	-
پشتیبانی از TRIM		-	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-	-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت