مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	In-House Controller
پشتیبانی از RAID		-
پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت