سازنده | سامسونگ | ای دیتا | ای دیتا | لکسار |
سازنده | سامسونگ | ای دیتا | ای دیتا | لکسار |
سازنده | سامسونگ | ای دیتا | ای دیتا | لکسار |
سازنده | سامسونگ | ای دیتا | ای دیتا | لکسار |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر | 7 × 69.8 × 100.4 میلی متر | 2.6 × 22 × 80 میلی متر | 2.25 × 22 × 80 میلی متر |
وزن | 45 گرم | 50.8 گرم | 5.5 کیلوگرم | 9 گرم |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | 2.5 اینچ | M.2 | M.2 |
نوع رابط | SATA 3.0 | SATA 3.0 | PCIe Gen 4 x 4 | PCIe Gen3x4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 250 گیگابایت | 256 گیگابایت | 500 گیگابایت | 256 گیگابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 520 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابیت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 450 مگابایت بر ثانیه | 4200 مگابیت بر ثانیه | - |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر ضربه | - | مقاوم در برابر ضربه | مقاوم در برابر ضربهمقاوم در برابر لرزش |
کنترل کننده | Samsung MKX | - | - | - |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | با قابلیت الگوریتم GCپشتیبانی WWNپشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتیحافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAMدارای فناوری SMARTمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms | TBW : 1120TBپشتیبانی از 3D NANDمقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی ثانیهمیانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت | حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBWمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msنوع فلش : 3D NAND | پشتیبانی از NVMe 1.4حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیهمجهز به حافظه فلش 3 بعدی NANDمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msمقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G |
