مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت	128 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	350 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID				-
پشتیبانی از TRIM				-
قابلیت پشتیبانی از NCQ				-
سایر مشخصات	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 250 گیگابایت