سازنده | ام اس آی | پی ان وای | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | پی ان وای | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | پی ان وای | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | پی ان وای | سامسونگ | هایک سمی |
مشخصات کلی
ابعاد | 2.15 × 22 × 80 میلی متر | - | - | - |
فرم فاکتور | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen3x4 | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 | PCIe 3.0 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 500 گیگابایت | 500 گیگابایت | 1 ترابایت | 256 گیگابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 2200 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابیت بر ثانیه | 2280MB/s |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 1150 مگابایت بر ثانیه | 1750 مگابایت برثانیه | 4200 مگابیت بر ثانیه | 1800MB/s |
کنترل کننده | PHISON E13T | - | In-House Controller | - |
پشتیبانی از RAID | - | |||
پشتیبانی از TRIM | - | |||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | - | |||
سایر مشخصات | دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)دارای فناوری SMARTسازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1نوع فلش : 3D NAND | - | Samsung V-NAND TLCحافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان) | TBW :100TBپشتیبانی از 3D NANDتوان : 1.6W |
