مقایسه کالاها

ظرفیت	250 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	535 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	500 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه
سایر مشخصات	دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتی گراد میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی پی ان وای مدل CS900 با ظرفیت 250 گیگابایت