مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	SATA 3.0	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	480 گيگابايت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	400 مگابایت بر ثانیه	-
کنترل کننده	In-House Controller	-	PHISON S11	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW SMART ترابایت نوشته شده : 250TBW نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت