مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	PCIe Gen4 x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	SMI SM2269XT
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	IDLE POWER PS3 : 40MW LOW POWER L1.2 : 3 MW با قابلیت APST (انتقال حالت قدرت مستقل) حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (700TB : (TBW دارای AES256/Pyrite (رمزگذاری ، امنیت داده ها) دارای الگوریتم ECC LDPC (بررسی برابری چگالی کم) دارای فناوری SMART	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت