سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
PCIe Gen3x4
PCIe Gen 4.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
500 گیگابایت
500 گیگابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
5150 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
1150 مگابایت بر ثانیه
4000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

In-House Controller
-PHISON E13T
-

پشتیبانی از RAID

پشتیبانی از TRIM

قابلیت پشتیبانی از NCQ

سایر مشخصات

Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)
دارای فناوری SMART
سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1
نوع فلش : 3D NAND
-
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه