مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	SATA 3.0	PCIe 4.0

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	240 گيگابايت	2 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت برثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLC حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (800TB : (TBW مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	-

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت