مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	-
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت