مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	2.5 اینچ
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	SATA 3.0

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	480 گيگابايت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	-
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLC حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (800TB : (TBW دارای تکنولوژی S.M.A.R.T مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت