مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	2.5 اینچ
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	SATA 3.0

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	240 گيگابايت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	-
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	PHISON S11
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW ترابایت نوشته شده : 110TBW حداکثر توان عملیاتی : 1.7 وات دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت