مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	PCIe Gen4x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	Samsung in-house Controller
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت