مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen4x4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	2400 مگابایت برثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	5400 مگابایت برثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	RTS5766DL
پشتیبانی از RAID			-	-
پشتیبانی از TRIM			-	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-	-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	TBW : 520TB مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت