سازنده

سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی
لکسار

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی
لکسار

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی
لکسار

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی
لکسار

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
PCIe 3.0
PCIe Gen3x4

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
500 گیگابایت
256 گیگابایت
512 گیگابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
2280MB/s
3500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
1800MB/s
-

کنترل کننده

In-House Controller
---

پشتیبانی از RAID

-

پشتیبانی از TRIM

-

قابلیت پشتیبانی از NCQ

-

سایر مشخصات

Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
پشتیبانی از NVMe 1.4
مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND
مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms
مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه