مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه	-
کنترل کننده	In-House Controller	-	Samsung in-house Controller	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت