مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCI-Express 3.0x4	SATA 6Gb/s	PCIe Gen 4 x 4

ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت	128 گیگابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه	350 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	-
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت