مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCI-Express 3.0x4	PCIe Gen4 x4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه	-
کنترل کننده	In-House Controller	-	SMI SM2269XT	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت