سازنده

هایکسمی
پی ان وای
هایک سمی
سامسونگ

سازنده

هایکسمی
پی ان وای
هایک سمی
سامسونگ

سازنده

هایکسمی
پی ان وای
هایک سمی
سامسونگ

سازنده

هایکسمی
پی ان وای
هایک سمی
سامسونگ

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe Gen3x4
PCIe 3.0
PCIe Gen 4 x 4

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
500 گیگابایت
256 گیگابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
2200 مگابایت بر ثانیه
2280MB/s
7450 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
1750 مگابایت برثانیه
1800MB/s
6900 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
--Samsung in-house Controller

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
-TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION)
پشتیبانی از S.M.A.R.T
میانگین توان مصرفی : 7.8 وات
میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه