مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen3x4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen4x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	2200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	1750 مگابایت برثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	-	-	Samsung in-house Controller
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	-	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت