مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	SATA 3.0	PCIe Gen 4 x 4

ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	5000 مگابیت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	4200 مگابیت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	In-House Controller	-	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از ذخیره سازی عکس و فیلم با کیفیت 4K مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت