سازنده

هایکسمی
سامسونگ
لکسار
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
لکسار
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
لکسار
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
لکسار
ام اس آی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
PCIe 4.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
256 گیگابایت
2 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
3500 مگابایت بر ثانیه
3300 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
-3000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
-PHISON E19T

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
پشتیبانی از NVMe 1.4
حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه
مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND
مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms
مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G
TBW : 1200
پشتیبانی از 3D NAND
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه