سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
ام اس آی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
2.5 اینچ
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
SATA 3.0
PCIe Gen 4 x 4

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
480 گيگابايت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
5000 مگابیت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
4500 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
PHISON S11
-

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
IDLE POWER PS3 : 325 MW
LOW POWER L1.2: 4.9 MW
SMART
ترابایت نوشته شده : 250TBW
نوع فلش : 3D NAND
-
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه