سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
2.5 اینچ

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
SATA 3.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
500 گیگابایت
480 گيگابايت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
400 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
-PHISON S11

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-IDLE POWER PS3 : 325 MW
LOW POWER L1.2: 4.9 MW
SMART
ترابایت نوشته شده : 250TBW
نوع فلش : 3D NAND
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه