سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
PCIe Gen4x4

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
500 گیگابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
7400 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
6000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
--

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-IDLE POWER PS3 : 40MW
LOW POWER L1.2 : 3 MW
با قابلیت APST (انتقال حالت قدرت مستقل)
حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (700TB : (TBW
دارای AES256/Pyrite (رمزگذاری ، امنیت داده ها)
دارای الگوریتم ECC LDPC (بررسی برابری چگالی کم)
دارای فناوری SMART
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه