سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
هایک سمی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
PCIe 3.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
500 گیگابایت
256 گیگابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
2280MB/s

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
1800MB/s

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
--

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه