سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
پی ان وای
سن دیسک

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
2.5 اینچ
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
SATA 3.0
PCIe Gen 4.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
250 گیگابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
535 مگابایت بر ثانیه
5150 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
4000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
--

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتی گراد
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
-
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه