مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen4x4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	5000 مگابیت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	4200 مگابیت بر ثانیه	5400 مگابایت برثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	In-House Controller	-	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت